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东芝实现石墨烯与银纳米线复合透明电极的大面积化

       【日经BP社2013/02/04 报道】东芝在国际纳米技术展会“nano tech 2013”上展出了利用涂覆工艺将石墨烯和银(Ag)纳米线成膜制成的透明导电膜。该公司曾在2012年9月发布过这种透明导电膜,现在可以制作出面积比当时更大的产品。

         银纳米线适合用来提高导电性,不过在采用涂覆法制作透明导电膜时,光透射率与导电性为矛盾关系。另外,银纳米线还容易与空气中的硫(S)产生化学反应从而导致出现劣化。

        而石墨烯虽然载流子迁移率较高,但载流子密度较小,不容易制作出没有缺陷的薄膜,因此导电性比较低。尤其是可利用涂覆工艺的、通过还原氧化石墨烯制成的石墨烯片,其缺陷和晶界较多,因此薄膜电阻值会达到几百Ω/□甚至更高。另外,石墨烯具有较高的阻隔性,这点众所周知。

       东芝利用银纳米线的高导电性和石墨烯的出色阻隔性能,制作出了此次的透明导电膜,同时实现透明导电膜的高性能和高耐久性。其薄膜电阻值为4.9Ω/□,光透射率在75%以上(波长为550nm时),薄膜的尺寸为10cm见方。2012年9月发布产品的尺寸约为3cm×2cm。

       具体制作流程如下:首先,在玻璃基板上涂覆分散有氧化石墨烯粉末的溶液,并将其还原;然后,涂覆分散有银纳米线的溶液并成膜;最后,剥离并转印到薄膜上。《日经电子》


更新时间:2013-2-5 13:38:27
 
 
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